SOITEC et GT Advanced Technologies signent un accord pour le développement d'un équipement d'épitaxie

25/02/2013 - 08:17 - Option Finance

(AOF) - Soitec et GT Advanced Technologies ont signé un accord de développement et de licence en vue de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE) pour produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium à moindre coût. Cet équipement d'HVPE devrait abaisser le coût de production des diodes électroluminescentes et en accélérer l'adoption dans les systèmes d'éclairage public et résidentiel. La grande vitesse de croissance cristalline du GaN et l'amélioration des propriétés du matériau rendues possibles par cette technologie d'HVPE devraient entraîner une baisse considérable des coûts de ces films tout en boostant les performances des LEDs ainsi produites en particulier par rapport à la filière MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur à base de précurseurs organométalliques) plus traditionnelle. Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées. GT développera, fabriquera et commercialisera cet équipement d'HVPE en y incorporant les éléments technologiques particuliers et originaux développés par Soitec Phoenix Labs (filiale de Soitec), et notamment un système unique d'injection de la source de Gallium, qui devrait notamment abaisser le coût des précurseurs ainsi fournis au réacteur d'HVPE. Cet équipement d'HVPE permettra de produire à grande échelle des couches de nitrure de gallium (GaN) sur saphir. La disponibilité commerciale de cet équipement est prévue au deuxième semestre 2014.

AOF - EN SAVOIR PLUS

- Importants investissements de R&D.

Les points faibles de la valeur

- Faible visibilité sur les résultats ; - Forte concentration des clients (55% du CA avec AMD) et sectorielle (semi-conducteurs) ; - Commercialisation par AMD de processeurs non-SOI : inquiétudes récurrentes d'abandon de la technologie SOI ; - Avenir incertain de la division Electronique, reposant sur la pénétration de nouveaux débouchés, notamment dans la téléphonie mobile ; - Intel, leader mondial du semi-conducteur, n'est toujours pas client ; - Diversification couteuse dans le Solaire, pesant lourdement sur les résultats, et risquée (manque d'expérience dans le domaine, pari technique audacieux) ; - Trésorerie nette négative depuis septembre 2012 ; - Valeur très volatile (flottant supérieur à 90%).

Comment suivre la valeur

- Valeur très cyclique dépendant des commandes des fabricants de puces et donc des débouchés de secteurs comme l'informatique, la téléphonie mobile, l'électronique grand public, l'électronique embarquée, ou encore la domotique ; - Profil " early cyclique " car en amont de la chaîne de production ; - Forte corrélation du titre avec l'actualité d'AMD et aux déclarations des fabricants de puces ; - Forte dépendance aux évolutions du dollar (quasi-totalité des ventes facturée en dollar) ; - Catalyseur boursier : annonce de contrats dans la téléphonie mobile ou les Led et le photovoltaïque.

LE SECTEUR DE LA VALEUR

Semi-conducteurs

Selon les données du cabinet IHS iSuppli, le marché des PC constitue désormais à peine 49% du marché des mémoires DRAM (" dynamic random access memory "). C'est une première dans l'histoire de cette industrie et cette tendance devrait même s'accélérer. Cela s'explique par deux facteurs : le repli du marché des PC, et la forte croissance des ventes de smartphones et tablettes. D'après IHS iSuppli, les ventes de mémoires DRAM à destination des tablettes et téléphones devraient bénéficier d'une croissance à deux chiffres, pour représenter 26,7% des débouchés dès 2013, contre 14,1% aujourd'hui. Cela représente une formidable opportunité pour certains acteurs. Le cabinet Decision prévoit que cette année le marché des puces pour appareils mobiles devrait croître de 10,4%, à 72,4 milliards de dollars, alors que le marché mondial des semi-conducteurs, devrait reculer de 0,1%, à 320 milliards de dollars. FTB/ACT/