(AOF) - Soitec a cédé l'activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de sa filiale Specialty Electronics à la société américaine Intelligent Epitaxy Technology Inc. (IntelliEPI), un leader de la fourniture de plaques épitaxiées de phosphure d'indium (InP), d'arséniure de gallium (GaAs), et d'antimonide de gallium (GaSb) pour les industries de l'électronique et de l'optoélectronique. La filiale est basée sur le site de Villejust, dans le département de l'Essonne, précise le fabricant de matériaux semi-conducteurs pour l'électronique et l'énergie, sans indiquer le montant de cette opération. L'opération intervient après l'accord de collaboration précédement conclu entre Soitec et IntelliEPI en décembre 2013.
Les points forts de la valeur
- Leader mondial de la production de semi-conducteurs utilisant la technologie SOI (plaques de silicium), reconnue par tous les grands acteurs de l'énergie et de l'électronique ; - Expertise reconnue dans la technologie déplétée ou FD-SOI qui sera utilisée sur les smartphones de Samsung à partir de 2015 ; - Développement de relais de croissance, notamment dans l'efficacité énergétique (écrans de téléphones portables, led, photovoltaïque...), en vue de réduire la forte dépendance à l'égard de l'américain AMD ; - Importants investissements en R&D et en capacités industrielles, notamment pour la division énergie solaire et l'éclairage LED, à diodes électroluminescentes ; - Obtention des premiers contrats dans le LED, avec la RATP, Sumitomo et GT Technologies.
Les points faibles de la valeur
- Forte dépendance de l'activité au marché mondial des PC, entraîné dans une spirale baissière que ne compensent pas les projets dans la mobilité -smartphones et tablettes ; - Rejet aux Etats-Unis de la technologie du groupe pour une centrale solaire représentant la moitié du chiffre d'affaires solaire ; - Diversification coûteuse dans le solaire, au risque technique et stratégique audacieux et à la rentabilité repoussée régulièrement ; - Absence de capacité bénéficiaire continue depuis l'exercice 2006-2007 ; - Dilution des positions des investisseurs après deux augmentations de capital en actions et en Océanes durant l'été 2013 et, très probablement, d'ici l'automne 2014 ; - Forte défiance des investisseurs.
Comment suivre la valeur
- Profil " early cyclique " car en amont de la chaîne de production ; - Forte corrélation du titre avec l'activité d'AMD d'une part, l'annonce de projets dans le solaire d'autre part ; - Suivi de l'exécution du contrat solaire avec SDG&A, de 150 Mw à livrer avant la fin 2015 ; - Avancée du plan d'économies Soitec 2015, lancé en 2013 et visant au retour aux bénéfices 2015-2016, puis à une rentabilité opérationnelle de 15 % à long terme ; - Réduction des pertes opérationnelles à la fin de l'exercice 2014-2015 clos le 31 mars, grâce à des cessions d'actifs ; - Valeur non opéable, le FSI détenant 9,93 % des actions et la CDC 3,41 %, le président-fondateur André-Jacques Auberton Hervé en conservant 5,09 % et 9,16 % des droits de vote.
Semi-conducteurs
Le cabinet Gartner estime qu'en 2013, les ventes mondiales de semi-conducteurs ont progressé de 5% pour s'établir à 315 milliards de dollars. Malgré une diminution de ses facturations (-1%) pour la seconde année consécutive du fait de l'effondrement du marché des PC, Intel domine largement le secteur depuis 22 ans. La part de marché du leader mondial s'élève à 15,4%, pour un chiffre d'affaires de 48,6 milliards de dollars. Dopé par les ventes de mémoire DRAM et NAND, Samsung, est son challenger avec un chiffre d'affaires de 30,6 milliards de dollars (+7%). Sa part de marché mondiale atteint ainsi 9,7%. Troisième du secteur, Qualcomm a affiché des ventes en progression de 30,6% à 13,2 milliards de dollars, grâce au succès des smartphones. Les revenus des 25 premiers fabricants du classement ont enregistré à eux seuls une croissance cumulée de 6,9% l'année dernière car les fabricants de mémoire, ont bénéficié d'une forte progression de leur activité. Ce segment du marché des semi-conducteurs a crû de 29% en 2013, en bonne partie grâce à la mémoire DRAM. FTB/ACT/