(AOF) - STMicroelectronics et Samsung Electronics Co, un leader mondial dans le domaine des semiconducteurs avancés, ont annoncé la signature d'un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nanomètres (nm) dans le cadre d'une collaboration de production multi-sources. Cette technologie résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant STMicroelectronics, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires. L'accord de licence annoncé aujourd'hui permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 millimètres (mm) dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. " La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande permanente en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie dont les produits électroniques de nouvelle génération ont besoin, notamment les produits mobiles et destinés au grand public ", ont expliqué les deux groupes technologiques. Cet accord complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015. FTB/ACT/