Picogiga International, filiale de Soitec, annonce aujourd'hui le démarrage de la pré-production du SopSiC (silicium sur carbure de silicium polycristallin), substrat fabriqué à partir de la technologie Smart CutTM , destiné aux dispositifs de puissance RF à base de nitrure de gallium.
Le SopSiC comble le vide existant dans la gamme des substrats destinés à des dispositifs HEMT (Transistor à Très Haute Mobilité) à base de nitrure de gallium (GaN), entre le silicium visant des puissances moyennes à faible coût, et le carbure de silicium (SiC) sélectionné pour des applications de hautes performances à coût élevé. Le SopSiC constitue une solution économique pour les composants de forte puissance utilisés dans les systèmes radio-fréquence tels que les radars, les communications satellite ou les stations de base pour les réseaux de communication sans fil.
"Le SopSiC est un excellent exemple de l'utilisation de substrats innovants fabriqués à partir de la technologie Smart Cut pour répondre aux besoins des applications III-V", déclare Jean-Luc Ledys, Directeur Général de Picogiga. "Alors que le nitrure de gallium sur silicium et sur carbure de silicium fait déjà partie de notre ligne de produit de substrats épitaxiés pour les applications RF de puissance, le SopSiC apporte à nos clients une solution nettement plus performante que le silicium et considérablement moins coûteuse que le SiC. En terme de coût/watt, le SopSiC est une solution extrêmement intéressante".
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